Mitsubishi Electric Co., Ltd.는 광학 트랜시버입니다^*1"광범위한 프라그 마틱 슬롯 온도 범위 CWDM으로 사용하기 위해 5 ° C ~ 85 ° C에서 프라그 마틱 슬롯 할 수있는 반도체 레이저 다이오드 칩^*2100GBPS (53GBAUD^*3PAM4^*4) EML^*5Chip"은 개발 될 예정이며 샘플은 11 월 1 일에 제공됩니다. 광학 트랜시버에 4 개의 칩을 설치함으로써 데이터 센터에서 400GBPS 광섬유 통신이 달성됩니다. 또한, 광범위한 프라그 마틱 슬롯 온도 범위를 달성함으로써 칩 냉각 메커니즘이 필요하지 않아 전력 소비량을 낮추고 광학 트랜시버의 비용 절감에 기여합니다.

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  전기 및 광학 신호를 서로 변환하는 전자 구성 요소

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  거친 파장 분할 멀티플렉싱 : 하나의 광섬유를 사용하여 20nm 간격으로 다중 파장의 신호를 전송하는 방법. 이번에는 1271,1291,1311,1331NM의 4 개의 파장을 사용합니다.

• *3

  BAUD : 초당 변조 수를 나타내는 단위. 53GBaud는 초당 530 억 회 변조

• *4

  PAM4 : 4 레벨 펄스 진폭 변조에 대한 약어. 4 값 펄스 진폭 변조. "0"및 "1"

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  전기 흡수 변조기 통합 레이저 다이오드 : 통합 된 전기 흡수 광학 변조기가있는 반도체 레이저 다이오드