슬롯 게임
실리콘 RF 높은 출력 MOSFET 모듈 RA50H7687M1

Mitsubishi Electric Corporation은 상업용 슬롯 게임에 설치된 새로운 고주파 장치로서 763MHz ~ 870MHz 주파수 대역에서 업계에서 가장 큰 것입니다*150W의 전반적인 효율 및 출력 전력*240% 실리콘 RF*3고전력 MOSFET*4모듈 "RA50H7687M1"은 8 월 1 일에 출시 될 예정입니다.


최근 몇 년 동안, 다양한 무선 시스템에 사용되는 150MHz 및 400MHz 주파수 대역의 무선 파는 북미 및 기타 국가에서 강화되었으며, 대응책으로, 아날로그 TV 방송에 사용 된 700MHz 주파수 대역은이 주파수 대역에 해당하는 상업용 슬롯 게임에 대한 수요를 증가 시켰습니다. 반면 에이 주파수 대역에 해당하는 기존의 전력 증폭기는 전력 손실이 높은 문제가 있으므로 I/O 매칭 회로가 미리 사전에 있습니다*5출력 전력과 같은 성능을 내장하고 보장합니다.


이번에는 새로 출시 된 실리콘 RF 고출력 MOSFET 모듈 인 "RA50H7687M1"은 763MHz에서 870MHz 주파수 대역에서 업계 최대 출력 전력과 40% 전체 효율을 달성했습니다. 이는 700MHz 주파수 대역에서 상업용 슬롯 게임에 대한 수요가 증가하고 있으며 출력 전력 및 전력 효율성이 높은 상용 슬롯 게임의 통신 거리 증가 및 더 낮은 전력 소비에 기여할 것입니다.

신제품 기능

  1. 업계 최대 50W의 출력 전력을 달성하여 상업용 슬롯 게임의 통신 거리가 증가합니다
    • 저항성 및 배수 소스 용량을 허용하기 위해 미세 가공 기술 적용*6
    • 전력 밀도를 향상시키기위한 저항성 감소, 상업용 슬롯 게임에 대한 업계 최대의 출력 전력을 달성
    • 더 높은 출력 전력은 상업용 슬롯 게임가 증가 할 수있는 통신 거리를 가능하게합니다.*7비율의 최대 6% 증가
  2. 업계 최대 40%의 전체 효율성을 달성하여 전력 소비를 낮추고 상업용 슬롯 게임의 소형화에 기여합니다
    • 배수 소스 용량 감소 입력/출력 일치 회로를 최적화하여 상업용 슬롯 게임로서 업계 최대의 전체 효율을 40% 달성
    • 개선 된 출력 변환 효율 향상 MOSFET의 열 생성을 줄여 전력 소비량을 낮추고 상용 슬롯 게임의 소형화에 기여합니다
  3. 통합 입력/출력 일치 회로는 상업용 슬롯 게임의 설계 부하를 줄입니다
    • 통합 입력/출력 일치 회로는 외부 회로의 단순화를 허용하여 상용 슬롯 게임의 회로 설계를 더 쉽게 할 수 있습니다
    • 기존 제품과 동일한 외부 크기의 패키지를 사용하며 기존 모듈로 쉽게 교체 할 수 있습니다

  • *1

    2022 년 7 월 14 일 현재, 회사가 연구했습니다. 입력 전력이 50mw, 763MHz ~ 870MHz 대역을 갖는 전력 증폭기의 경우

  • *2

    앰프에 공급되는 전원이 고주파 출력으로 변환 될 때의 효율성, 성능이 향상되고

  • *3

    무선 주파수 : 고주파

  • *4

    금속 산화물 반도체 필드 효과 트랜지스터 : 금속 산화물 반도체로 만든 전계 효과 트랜지스터

  • *5

    출력 및 입력의 임피던스와 일치하여 손실 감소로 신호를 전달하는 회로

  • *6

    구성에 의해 생성 된 용량은 용량이 작을수록 더 넓은 주파수 대역에서 앰프 성능을 얻을 수 있습니다

  • *7

    우리의 이전 제품 45W 전력 증폭 모듈 "RA45H7687M1"