
Mitsubishi Electric Corporation은 철도 차량과 같은 대규모 산업 장비를위한 대용량 전력 반도체입니다. "HVIGBT*1모듈 XB 시리즈는 "5 월 1 일에 출시 될 예정", 3.3kV 견해 전압/1500A 전류는 새로운 프라그 마틱 슬롯으로 "고유 한 다이오드 및 IGBT 요소를 사용하는 것 외에도 고유 한 칩 종결 구조를 사용하여 습한 칩 내성을 사용하여 다양한 산업 장비에 대한 더 많은 산업 장비에 대한 신뢰성을 향상시킵니다.
이 프라그 마틱 슬롯은 PCIM Expo & Conference 2025 (5 월 6 일 -8 일, 뉘른베르크, 독일 연방 공화국)에 전시됩니다.
최근 몇 년 동안, 전기를 효율적으로 전환하는 전력 반도체에 대한 수요는 탄소가 부여 된 사회의 실현에 기여하는 주요 장치로 확장되고 있습니다. 이 중, 대형 산업 장비의 전력 반도체 모듈은 철도 차량 및 전원 공급 장치 드라이브 시스템과 같은 전력 관련 시스템의 인버터와 같은 전력 전환 장비에 사용됩니다. 대형 산업 장비의 전력 반도체 모듈은 탄소가없는 사회를 달성하기 위해 필요하며, 전력 전환 효율을 더욱 향상시키는 데 기여하는 높은 출력과 고효율을 가지며 온도와 습도가 크게 변동하는 야외 환경에서도 안정적인 작동에 대한 습도 저항력이 높습니다. 전력 반도체에 설치된 칩은 전력이 변환 및 출력 (유효 영역) 및 전압 (유효하지 않은 영역)에 기능하는 종료 영역으로 나눌 수 있습니다. 습도가 높은 환경에서는 칩 구조가 종료 영역을 넓히려면 수분 또는 기타 요인의 영향으로 인해 유지 전압이 떨어지지 않도록해야합니다. 반면, 종결 영역을 넓히고 효과적인 영역을 비교적 좁히는 사이에는 상충 관계가 있으며, 따라서 전력 반도체 칩과 습기 저항의 높은 출력 및 낮은 손실 성능을 달성하는 데 어려움이 있습니다.
이번에는 고유 한 RFC 다이오드가 있습니다*2및 CSTBT 구조*3를 사용하여 IGBT 요소가 장착 된 "HVIGBT 모듈 XB 시리즈 전압 3.3kv/정격 전류 1500A"를 공개하고 있습니다. 이 프라그 마틱 슬롯은 기존 프라그 마틱 슬롯에 비해 총 전환 손실을 약 15% 줄입니다*4이것은 인버터의 높은 효율에 기여합니다. 또한, RRSOA 허용 오차 (역 회복이있을 때 안전한 운영 영역의 용량을 견딜 수 있음)는 이전 프라그 마틱 슬롯에 비해 약 25% 증가했습니다*5인버터의 신뢰성을 향상시키는 데 기여합니다. 또한 칩 종료 영역의 새로운 필드 이완 구조*6및 표면 전하 제어 구조*7를 채택함으로써 종료 영역은 기존 프라그 마틱 슬롯에 비해 프라그 마틱 슬롯 수의 약 30%감소하고*8의 수분 저항을 달성하여 습도가 높은 환경에서 사용되는 인버터의 안정적인 작동에 기여합니다. 이는 다양한 환경에서 실행되는 철도 차량과 같은 대규모 산업 장비의 인버터의 효율성과 신뢰성을 더욱 증가시킬 것이며 탄소 중립의 실현에 기여할 것입니다.
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고전압 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 : 고전압 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
- *2
캐소드의 편안한 필드 : 캐소드 쪽에서 전자 이동성을 최적화하는 독점 다이오드
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캐리어 축적 효과를 사용하는 원래 IGBT 구조
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기존 CM1500HC-66R이있는 신프라그 마틱 슬롯on+EOFF+Erec. 티J= 150 ℃, vCC= 1800V, iC= 1500A와 비교
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기존 프라그 마틱 슬롯 CM1500HC-66R과 RRSOA의 VCE 및 IRR
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우리의 원래 구조는 P- 타입 반도체 영역의 간격이 점차 증가하도록 최적으로 배열되어 있습니다.
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반 감동 필름이 반도체 영역에 직접 접촉하고 충전을 안정적으로 해제하는 원래 구조
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XB 시리즈 및 기존 H 시리즈에 대한 응축 저항 검증 테스트 결과 전압 3.3kv/정격 현재 1200A 프라그 마틱 슬롯
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- Mitsubishi Electric Co., Ltd. 반도체 및 장치 첫 번째 사업부 파워 장치 판매 부서
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