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SIC MOSFET
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WF0009Q-1200AA
WF0009Q-1200AA
1200V, 9M Ω, SIC MOSFET 칩
상태 : 개발 중 (샘플 이용 가능)
트렌치 유형 Sic-Mosfet 프로세스 기술 및 최적의 구조 설계를 통한 낮은 손실, 높은 신뢰성 슬롯 나라 달성
기능
- SI 전원 슬롯 나라와 함께 SIC-MOSFETS에 재배 된 고품질 공정 기술의 적용
- Gate Oxide 필름을 보호하는 하단 P- 웰 구조 외에도 우리의 구조 (SPW*1, JFET 도핑*2) 게이트 신뢰성을 보장하면서 저항력이 낮고 스위칭 손실이 낮습니다
- 일반적인 구조 설계 및 고품질 프로세스 기술은 저항성 특성과 높은 신뢰성을 결합합니다
- 얼굴 전극은 솔더 조인트에 해당합니다
- *1 : 측면 P- 웰
*2 : JFET (Junction Field Effect Transistor) 영역의 불순물 농도를 증가시키고 슬롯 나라의 밀도를 높이는 기술
주요 용도
- EV ・ hev
- 차량 충전기
- 충전 인프라
기본 사양
| 품목 이름 | 레벨 | value | Unit |
|---|---|---|---|
| 슬롯 나라 | SIC MOSFET 칩 | ||
| VDSS | Min. | 1200 | V |
| rds (on) | typ. | 9* | M Ω |
| 공급 상태 | 개발 | ||
| 기본 사용 | 자동차 |
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